微纳米MOS器件可靠性与失效机理

1 (p1): 第1章 VLSI发展与可靠性研究进展
1 (p2): 1.1 VLSI的发展规律
3 (p3): 1.2 VLSI的主要可靠性问题
4 (p4): 1.3 VLSI的可靠性研究现状
4 (p5): 1.3.1 微纳MOS器件的热载流子效应
8 (p6): 1.3.2 微纳MOS器件的NBTI效应
12 (p7): 1.3.3 SOI器件的可靠性问题
15 (p8): 1.3.4 超薄栅氧化层介质的可靠性
18 (p9): 1.3.5 静电损伤和闩锁效应
21 (p10): 1.3.6 ULSI中铜互连可靠性相关技术
24 (p11): 1.3.7 非挥发性存储器的可靠性
27 (p12): 1.3.8 等离子体工艺的可靠性
28 (p13): 1.3.9 封装与装配可靠性
29 (p14): 1.3.10 微电子机械系统和化合物半导体可靠性
32 (p15): 1.3.11 VLSI失效分析技术
35 (p16): 1.3.12 VLSI可靠性仿真技术
36 (p17): 参考文献
42 (p18): 第2章 微纳米MOS器件的热载流子效应
42 (p19): 2.1 MOS器件的热载流子效应
46 (p20): 2.2 微纳MOS器件的热载流子效应
47 (p21): 2.3 动态应力下MOS器件的热载流子效应
49 (p22): 2.4 热载流子效应的测量和表征技术
49 (p23): 2.4.1 电流-电压特性测试
51 (p24): 2.4.2 电荷泵测试
54 (p25): 2.4.3 衬底热载流子效应测试
55 (p26): 2.5 nMOS器件的衬底电流和沟道电流分布建模
56 (p27): 2.5.1 幸运热载流子模型
59 (p28): 2.5.2 沟道电流和衬底电流的二维分布建模
63 (p29): 2.5.3 沟道电流和衬底电流二维分布模型的计算与比较
70 (p30): 2.6 nMOS器件的栅电流分布建模
70 (p31): 2.6.1 发射电流和栅电流分布模型
72 (p32): 2.6.2 nMOS器件的电子栅电流分布建模
75 (p33): 2.6.3 nMOS器件的空穴栅电流分布建模
77 (p34): 2.6.4 模型涉及参量的修正与选择
78 (p35): 2.6.5 发射电流和栅电流的分布特性
83 (p36): 2.7 nMOS器件的高温热载流子退化
84 (p37): 2.7.1 nMOS器件的高温热载流子退化
87 (p38): 2.7.2 pMOS器件的高温热载流子退化
89 (p39): 2.7.3 标准0.18μmCMOS工艺的高温可靠性测试标准
96 (p40): 2.8 超深亚微米LDD MOS器件模型
97 (p41): 2.8.1 LDD nMOS器件的本征电流-电压特性模型
102 (p42): 2.8.2 LDD nMOS器件的源漏串联电阻模型
103 (p43): 2.8.3 亚阈区模型
104 (p44): 2.8.4 模拟结果与分析
108 (p45): 参考文献
115 (p46): 第3章 MOS器件的热载流子损伤特性及物理模型
115 (p47): 3.1 pMOS器件损伤电子栅电流模型的建立及验证
115 (p48): 3.1.1 电子栅电流模型的建立
118 (p49): 3.1.2 电子栅电流模型的验证
120 (p50): 3.2 模型揭示的器件损伤特性
120 (p51): 3.2.1 陷入电子电荷分布特性
120 (p52): 3.2.2 损伤电子栅电流分布特性
123 (p53): 3.2.3 应力期间电子栅电流的拐角特性
124 (p54): 3.3 建立器件寿命物理模型的必要性
125 (p55): 3.4 界面态产生动力学模型新解
126 (p56): 3.5 pMOS线性区器件损伤与寿命的物理模型
126 (p57): 3.5.1 线性区漏源电流表征的器件损伤与寿命
128 (p58): 3.5.2 线性区跨导表征的器件损伤与寿命
129 (p59): 3.6 pMOS饱和区器件损伤与寿命的物理模型
129 (p60): 3.6.1 饱和区漏源电流表征的器件损伤与寿命
129 (p61): 3.6.2 饱和区跨导表征的器件损伤与寿命
130 (p62): 3.7 注入电荷总量表征的pMOS器件寿命物理模型
132 (p63): 3.8 热载流子效应诱生的nMOS器件损伤
133 (p64): 3.8.1 nMOS器件破键电流引起的界面态产生
135 (p65): 3.8.2 界面态产生与器件参数退化的关系
137 (p66): 3.8.3 nMOS器件发射电流注入栅氧的退化模型
142 (p67):…